FF200r12ks4 200 a Módulos IGBT duplos com IGBT2 rápido disponíveis com material de interface térmica alto

Informação básica.

Modelo NÃO.	FF200R12KS4
Modelo	ST
Número do lote	2010+
Marca	Infineon
IC(Nome) / If(Nome)	200 por
Tecnologia	IGBT2
Configuração	Dual
Tensão	1200 V
Pacote de Transporte	Caixa
Marca comercial	Infineon
Origem	Alemanha
Capacidade de produção	50.000 unidades/ano

Descrição do produto

Paramétricos	FF200R12KS4
Configuração	Dual
Dimensões (largura)	61,4 milímetros
Dimensões (comprimento)	106,4 milímetros
Características	Chip IGBT de cauda curta rápida
Habitação	62 milímetros
EUC(nome)/ EUF(nome)	200A
EUCmáx.	200A
Qualificação	Industrial
Tecnologia	IGBT2 rápido
VCE(vila)(Tvj=25°C tipo.)	3,2V
VF(Tvj=25°C tipo.)	2V
Classe de tensão máx.	1200V

MODELO:

FF100R12KS4

FF150R12KS4

FF200R12KS4

FF300R12KS4

Os módulos IGBT duplos Infineon de 62 mm 1200 V, 200 A com IGBT2 rápido para comutação de alta frequência são a escolha certa para o seu projeto. Também disponível com material de interface térmica.

Resumo dos recursos

• Alta capacidade de curto-circuito
• Corrente de curto-circuito autolimitada
• Baixas perdas de comutação
• Robustez imbatível
• V_CEsatcom coeficiente de temperatura positivo
• Pacote com CTI > 400
• Altas distâncias de fuga e folga
• Placa de base isolada
• Placa base de cobre
• Habitação padrão

Benefícios

• Flexibilidade
• Desempenho elétrico ideal
• Maior confiabilidade

Formulários
Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)