Fp35r12W2t7

Fp35r12W2t7

Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A retificador de entrada trifásico PIM (Power Integrated Modules) Módulo IGBT com TRENCH
Informação básica.
Modelo NÃO.FP35R12W2T7_B11
ModeloST
Número do lote2010+
MarcaInfineon
Nome IC35 a
TecnologiaIGBT
ConfiguraçãoTrifásico
Pacote de TransporteCaixa
Marca comercialInfineon
OrigemAlemanha
Capacidade de produção50.000 unidades/ano
Descrição do produto
MODELO:FP35R12W2T4FP35R12W2T7FP35R12W2T7-B11FP50R12W2T7-B11

Infineon

EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A retificador de entrada trifásico PIM (Power Integrated Modules) Módulo IGBT com TRENCHSTOP™ IGBT7, diodo 7 controlado por emissor, tecnologia de contato NTC e PressFIT.Resumo dos recursos

  • Baixo VCEsat
  • TRENCHSTOP™ IGBT7
  • Operação de sobrecarga até 175°C
  • Isolamento de 2,5 kV CA 1min
  • Al2Ó3substrato com baixa resistência térmica
  • Alta densidade de potência
  • Design compacto
  • Tecnologia de contato PressFIT

Benefícios

  • Conceito de módulo compacto
  • Tempo e custo otimizados do ciclo de desenvolvimento do cliente
  • Flexibilidade de configuração

Formulários

  • Acionamentos e controles de motores industriais
  • Ar condicionado residencial: refrigeração inteligente e eficiente
ParamétricosFP35R12W2T7_B11
ConfiguraçãoPIM
Dimensões (comprimento)56,7 milímetros
Dimensões (largura)48mm
CaracterísticasPressioneFIT
HabitaçãoEasyPIM™ 2B
EUC(nome)/ EUF(nome)35A
EUCmáx.35A
QualificaçãoIndustrial
TecnologiaIGBT7-T7
VCE(vila)(Tvj=25°C tipo.)1,6 V
VF(Tvj=25°C tipo.)1,72V
Classe de tensão máx.1200V


IGBT Discretos, Press Pack, módulos de potência e até mesmo soluções de empilhamento em diferentes classes de tensão e corrente.

Fp35r12W2t7_B11 IGBT Semiconductor for Smart and Efficient Cooling

Fp35r12W2t7_B11 IGBT Semiconductor for Smart and Efficient Cooling

Fp35r12W2t7_B11 IGBT Semiconductor for Smart and Efficient Cooling

Fp35r12W2t7_B11 IGBT Semiconductor for Smart and Efficient Cooling

Fp35r12W2t7_B11 IGBT Semiconductor for Smart and Efficient Cooling